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    β相偏硼酸鋇(BBO)晶體資訊

    2019-10-21

    β相偏硼酸鋇(BBO)晶體

     

    晶體特性:


    BBO晶體可透過波段范圍寬(190—3500nm),尤其是紫外波段透過好,缺點是具有較小的接收角和較大的發散角,BBO晶體具有高損傷域值,適合應用于高功率,光學均勻性好,是一種高效的非線性晶體。




     β相偏硼酸鋇(BBO)晶體


       β相偏硼酸鋇(BBO)晶體

    應用范圍:

      可以廣泛地應用在染料激光器,超快脈沖激光器,鈦藍寶石,氬離子激光器以及銅蒸汽激光器等不同類型的激光器,例如1064nm和800nm二、三、四倍頻,另外BBO晶體的OPO和OPA系統還可用來產生從紫外到紅外的大范圍可調相干光輸出,電光效應好,也是Z常被制成電光調Q及調制器件的一種電光晶體。

     

    標準要求

    長度

    Length

    0.01mm ~ 25mm

    平行

    Parallelism

     20 arc sec.

    波前畸變

    Wavefront distortion

    λ/8 @ 633nm

    光潔度

    Surface quality

    10-5 膜后 40-20

    損傷閾值

    Damage threshold

    600 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz

    平面度

    Flatness

    λ/8 @ 633nm

    鍍膜

    Coatings

    AR/AR @ 1064nm X面鍍金 Au-Cr Electrode

    P-coatings for thickness:0.01mm ~ 1mm

    (表1)


    BBO晶體標準規格

    序列號

    定向

    晶體尺寸

    膜系

    CPBB0Z-0320

    Z切

    3x3x20mm3

    AR/AR @ 1064nm X面鍍金

    CPBB0Z-0420

    Z切

    4x4x20mm3

    AR/AR @ 1064nm X面鍍金

    CPBBSH-0501-1064

    SHG at 1064nm

    5x5x0.5mm3

    P-coatings @ 1064nm + 532nm

    CPBBSH-0501-800

    SHG at 800nm

    5x5x0.5mm3

    P-coatings @ 800nm + 400nm

    CPBBSH-0306-532

    SHG at 532nm

    3x3x6 mm3

    AR/AR @ 532nm + 266nm

    備注:BBO薄片帶25.4mm支架,長期提供常規規格產品。

    (表2)




    標簽

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